Samsung показала модуль DDR5 на 512 гигабайт

Он должен найти применение в системах, где нужна широкая полоса пропускания.

Компания Samsung показала модуль памяти DDR5 объемом в 512 гигабайт. По сравнению с DDR4 инженерам удалось вдвое повысить скорость, одновременно снизив энергопотребление на 13%.

Память изготовлена на базе техпроцесса High-K Metal Gate, она обеспечивает пропускную способность до 7200 мегабит в секунду. В Samsung полагают, что такие модули найдут применение в суперкомпьютерах и системах, работающих с машинным обучением.

В работе над новой памятью принимали участие инженеры Intel: модуль, показанный Samsung, совместим с новым поколением серверных процессоров Intel Xeon под кодовым именем Sapphire Rapids.

На 512-гигабайтном модуле используются чипы памяти, изготовленные с помощью технологии сквозного прохождения через кристалл, впервые использованной в 2014 году. Всего используется 40 чипов памяти по 12.8 гигабайта на каждом.

О том, сколько может стоить такой модуль, в Samsung не сообщают.