Первый 1-нм чип RISC-V создали на базе материалов толщиной в атом

Предыдущий рекорд по сложности таких чипов установили еще в 2017 году.

В журнале Nature вышла статья китайских исследователей, изготовивших первый в мире RISC-V чип на базе 1-нм техпроцесса. Для использования настолько тонкого техпроцесса исследователи прибегли к двумерным материалам.

Для создания чипа использовались дисульфид молибдена и диселенид вольфрама — материалы толщиной в один атом. Изготовление чипа на одноатомной подложке не потребовало использования литографии в экстремальном ультрафиолете, обычно применяемой для создания современных чипов.

По словам профессора Бао Вэньчжуня, работавшего над проектом, основная сложность заключается в высокой хрупкости двумерных материалов. Процесс изготовления такого чипа Вэньчжунь сравнивает с вырезанием фигурки из творога тофу.

Исследователи рассчитывают, что использование двумерных материалов позволит наращивать сложность чипов в условиях, когда обычные кремниевые схемы подобрались к своему пределу.

Это первый раз, когда с помощью двумерных материалов удалось создать действительно сложный чип. Предыдущий рекорд был установлен в 2017 году: тогда исследователи из Австрии с помощью аналогичных материалов создали схему с 115 транзисторами.