Samsung разгонит HBM4E до 16 Гбит/с — один стек выдаст до 4 ТБ/с

Игроки ничего этого не увидят — память предназначена для ИИ-ускорителей.

Samsung готовит к выпуску новое поколение высокоскоростной памяти HBM4E со скоростью передачи данных 16 Гбит/с на один контакт. Новая память станет заметно быстрее нынешних решений Samsung.

С конца мая 2026 года Samsung поставляет память HBM4E со скоростью 14 Гбит/с на контакт, то есть при 2048 контактах один стек такой памяти способен обеспечить пропускную способность до 3.6 ТБ/с. После перехода на 16 Гбит/с максимальный показатель вырастет до 4 ТБ/с на стек.

Сейчас Samsung предлагает HBM4E в 12-слойной конфигурации емкостью 48 ГБ на стек. В дальнейшем планируется добавить еще как минимум два варианта: 8-слойные версии емкостью 32 ГБ и 16-слойные версии на 64 ГБ.

Чипы памяти HBM4E Samsung выпускает по 10-нм техпроцессу, также память снабжается специализированным чипом на базе более продвинутого 4-нм техпроцесса. Он дает возможность адаптировать память под требования конкретных партнеров.

В первую очередь новая память Samsung предназначена для ИИ-ускорителей и высокопроизводительных систем, в обычные игровые устройства память HBM не ставится.