Низкотемпературная плазма может ускорить производство чипов

Травление слоев 3D NAND с ее помощью происходит в разы быстрее.

Исследователи Университета штата Колорадо в Боулдере, Принстонской лаборатории физики плазмы и Lam Research предложили новый способ производства чипов 3D NAND, используемых для долговременного энергонезависимого хранения данных. Для травления чипов хотят использовать низкотемпературную плазму.

Ученые пришли к выводу, что криогенная плазма фтористого водорода протравливает чипы как минимум вдвое быстрее существующих методов. В ходе экспериментов скорость травления выросла с 310 нанометров в минуту до 640 нанометров в минуту.

Возможно, скорость травления удастся дополнительно повысить. Например, введение трифторида фосфора позволило повысить скорость травления диоксида кремния уже в четыре раза.

Низкотемпературная плазма не только быстрее протравливает чипы, но и делает это чище — по сравнению с традиционными способами протравленные отверстия были менее загрязненными. Это важно: очистка многослойных ячеек памяти от отходов травления тоже замедляет производство.

Предполагается, что использование такой технологии травления позволит повысить плотность хранения данных и емкость накопителей. Но о внедрении технологии на реальных производствах речь пока не идет — пока это лишь эксперимент.

Можно предположить, что травление с помощью низкотемпературной плазмы может использоваться и для производства других типов чипов — например, оперативной памяти. Об исследованиях в этой области пока не сообщалось.