Завершена разработка памяти HBM3 — «самой быстрой DRAM в мире»

О запуске памяти в производство пока не сообщается.

Компания SK hynix объявила о завершении разработки памяти HBM3 DRAM. Инженеры SK hynix смогли первыми в мире разработать память такого типа, компания называет ее «самой быстрой DRAM в мире».

Пропускная способность HBM3 от SK hynix составляет до 819 гигабайт в секунду. По сравнению с предыдущим поколением памяти, HBM2E, этот показатель увеличился на 78%.

SK hynix планирует поставлять два типа модулей памяти HBM3 — на 24 гигабайта и на 16 гигабайт. Модуль на 24 гигабайта, отмечают в компании, будет самым емким в истории индустрии.

Ожидается, что память HBM3 будет использоваться в системах, занимающихся машинном обучении, а также в высокопроизводительных центрах обработки данных. Компания не уточняет, когда планируется запустить серийное производство новой памяти.